闪存是什么意思(闪存和内存的区别)

大家在日常使用手机时,经常会听到“存储”这个词,保存照片和视频、接收数据、下载App等等。诸多手机应用场景都和存储息息相关。同时存储也成为我们选购手机时的重要衡量指标,4/8GB、128/256GB等不同存储容量对手机的使用体验影响很大。由此可见,存储器对于手机而言十分重要,那么什么是存储器呢?你知道它有哪些种类吗?

下面让华为麒麟带你一图看懂存储器!

闪存是什么意思(闪存和内存的区别)

RAM :随机存取存储器( andom Access Memory ),即手机中的内存,是芯片中与 CPU 直接交换数据的存储器。

RAM 属于易失性存储器,即一旦断电所存储的数据将全部丟失。 RAM 的优点是可以随时读写,同时读写速度很快,通常用来暂存正在运行的程序和临时数据。

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NAND :NAND Flash 即手机中的闪存,它属于非易失性存储器,断电后,其存储的数据不会丢失。 NAND Flash 存储器具有容量较大、体积较小、改写速度快等优点,它是移动数码产品存储的理想介质,在业内有广泛的应用,包括手机、相机、随身携带的 U 盘等。手机参数中的256GB、512GB指的就是手机中的闪存大小。

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DRAM :动态随机存取存储器( Dynamic Random Access Mem -ory )是 RAM 中的一种,当断掉电源后,所存储的数据将全部丟失。由于晶体管会出现漏电的情况,导致 DRAM 储存电荷的时间非常短暂,所以 DRAM 需要周期性地充电来进行刷新,因此 DRAM 的速度不如 SRAM 快,但 DRAM 的优点是存储单元的结构简单,集成度高,功耗低,所以已成为大容量 RAM 中的主流。比如手机参数中的4GB、8GB指的就是内存。

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SRAM:静态随机存取存储器( Static Random – Access Memo -ry )是 RAM 的另一种。 SRAM 与 DRAM 不同,不需要周期性进行更新,只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。但是,当断电时, SRAM 储存的数据还是会消失。 SRAM 的优点是读写速度快、使用简单、无需周期性刷新、静态功耗极低,但是 SRAM 所需的元件数多、集成度低、运行功耗大,同时制造成本高。

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3D DRAM:随着芯片尺寸的不断微缩, DRAM 工艺的微缩变得越来越困难,平面 DRAM 的“摩尔定律”( Moore ' s Law )正在逐渐走向极限,当今各大厂商都在研究3D DRAM 作为解决方案来延续 DRAM 的使用。3D DRAM 是一种将存储单元堆叠至逻辑单元上方的新型存储方式,它可以实现单位面积上更高的容量。

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